Dielectric/Metal/Dielectric structures using Transition Metal Oxides (TMOs) as a dielectric layer and very thin-film layers of metal will be fabricated and their opto-electrical properties evaluated. In particular, MoO3/Ag/MoO3, V2O5/Ag/V2O5 and WO3/Ag/WO3 structures will be fabricated by thermal evaporation in a high vacuum process. Their optical transmittance and electrical conductivity will be measured. Optimized DMD structure will be used as a Transparent Conductive Layer in crystalline silicon solar cells.
En este trabajo se fabricaran capas transparentes y conductoras basadas en interfaces dielectrico metal dielectrico. Además se usaran óxidos de metales de transición que funcionan como contacto selectivo en celdas de silicio cristalino. Finalmente se fabricarán unas celdas solares con estas estructuras para estudiar su funcionamiento.
En aquest treball es fabricaran capes transparents conductores basades en interficies dielectric metall dielectric. A més a més s'utilitzaran òxids de metall de transició com a capes dielectriques, que son coneguts contactes selectius en celes solars de silici cristalí. Per últim es fabricaran unes cél·lules solars per comprovar el funcionament amb aquesta estructura.
