Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada
Document typeConference report
Defense date1998
Rights accessOpen Access
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Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
CitationLazaro, A., Pradell, L., O'callaghan, J., Perez-Pueyo, R., Soneira, M.J. Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "URSI 1998: URSI'98: Unión Científica Internacional de Radio: XIII Simposium Nacional: Pamplona: 16-18 septiembre". Pamplona: 1998, p. 505-506.
ISBN84-89654-12-3
Collections
- RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones - Ponències/Comunicacions de congressos [151]
- GCO - Grup de Comunicacions Òptiques - Ponències/Comunicacions de congressos [448]
- Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [3.395]
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