MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/106157
Tipus de documentArticle
Data publicació2017-06-25
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Aging produced by RF stress is experimentally analyzed on a RF CMOS power amplifier (PA), as a function of the stress power level. The selected circuit topology allows observing individual NMOS and PMOS transistors degradations, as well as the aging effect on the circuit functionality. A direct relation between DC MOSFETs and RF PA (gain) parameters has been observed. NMOS degradation (both in mobility and Vth) is stronger than that of the PMOS. Results suggest that transistors mobility reduction is the main cause of the RF degradation in this circuit.
CitacióCrespo, A., Barajas, E., Martin, J., Mateo, D., Aragones, X., Rodríguez, R., Nafría, M. MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier. "Microelectronic engineering", 25 Juny 2017, vol. 178, p. 289-292.
ISSN0167-9317
Versió de l'editorhttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167931717302186
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Extended_INFOS_2017.pdf | 443,7Kb | Visualitza/Obre |