RRAM variability and its mitigation schemes
Visualitza/Obre
10.1109/PATMOS.2016.7833679
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/103892
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2016
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Emerging technologies such as RRAMs are attracting significant attention due to their tempting characteristics such as high scalability, CMOS compatibility and non-volatility to replace the current conventional memories. However, critical causes of hardware reliability failures, such as process variation due to their nano-scale structure have gained considerable importance for acceptable memory yields. Such vulnerabilities make it essential to investigate new robust design strategies at the circuit system level. In this paper we have analyzed the RRAM variability phenomenon, its impact and variation tolerant techniques at the circuit level. Finally a variation-monitoring circuit is presented that discerns the reliable memory cells affected by process variability.
CitacióPouman, P., Amat, E., Hamdioui, S., Rubio, A. RRAM variability and its mitigation schemes. A: International Workshop on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation. "Proceedings PATMOS 2016". Dresden: 2016, p. 141-146.
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org.recursos.biblioteca.upc.edu/document/7833679/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
VARI+2016.pdf | 743,6Kb | Visualitza/Obre |