Conversió de fitxers ATLAS a IC-CAP per a la obtenció del model compacte de transistors

Abstract

El transistor bipolar, com altres dispositius semiconductors, utilitza models matemàtics per simular el seu comportament elèctric. El model matemàtic, o model compacte del dispositiu semiconductor, equival a un circuit electrònic amb un conjunt de paràmetres que emula el comportament del dispositiu. Per tant, la obtenció d’aquest model, és clau en el disseny de circuits que incorporin aquests dispositius. El dispositiu bipolar amb el que s’ha treballat en aquest projecte, és el transistor bipolar d’heterounió. Hi ha diferents models compactes de transistor, i la tria del model que es vol utilitzar es pot fer seguint tres criteris: Depenent de l’aplicació: models del transistor que s’empren en circuits determinats, com per exemple circuits d’alta freqüència o circuits de potència. Depenent del fabricant: models del transistor que dona el fabricant del circuit que es vol dissenyar. Depenent de la precisió: models del transistor mes complexos, solen ser mes precisos. Els models poden estar orientats a la mateixa aplicació, però alguns són més fidels a la realitat, ja que n’hi ha que ometen, per exemple, nolinealitats.