Low-power CMOS circuit design for fast infrared imagers

Abstract

La present tesi de màster detalla novedoses tècniques circuitals per al disseny de circuits integrats digitals CMOS de lectura compactes, de baixa potència i completament programables, destinats a aplicacions d'IR d'alta velocitat operant a temperatura ambient. En aquest sentit, el treball recull i amplia notablement la recerca iniciada en el Projecte Final de Carrera "Tècniques de disseny CMOS per a sistemes de visió híbrids de pla focal modular" obtenint-se resultats específics en tres diferents àrees: Recerca de l'arquitectura òptima d'FPA, des del punt de vista funcional i de construcció física. Disseny d'un conjunt complet de blocs bàsics d'autopolarització, compensació de la capacitat d'entrada i del corrent d'obscuritat, conversió A/D i interfície d'E/S exclusivament digital, amb compensació de l'FPN. Aplicació industrial real: Integraciió de tres versions diferents de píxel per sensors PbSe d'IR i fabricació de mòduls ROIC monolítics i híbrids en tecnologia CMOS estàndard 0.35&·956;m 2-PoliSi4-metall. Caracterització elèctrica i òptica-preliminar de les llibreries de disseny.