Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributorRodríguez Montañés, Rosa
dc.contributor.authorCastillo Muñoz, Raül
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2007-03-09T10:11:43Z
dc.date.available2007-03-09T10:11:43Z
dc.date.issued2006-09
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2099.1/2990
dc.descriptionL’obtenció d’una eina que permeti extreure dades sobre la distribució de les agrupacions de daus defectuosos en la fabricació de xips és una de les idees centrals d’aquest projecte. Per poder facilitar l’estudi sobre les lleis físiques que governen la creació d’aquestes agrupacions s’ha desenvolupat una aplicació software creada sobre MATLAB©. Durant la primera part de la memòria s’explicarà, d’una manera general, la fabricació de xips, les possibles causes d’errors, i les dades disponibles sobre aquestes fallades (pertanyents a la fàbrica que PHILIPS© té a Nijmegen, Holanda). Durant aquest informe s’explicarà com fer servir aquest software per visualitzar les dades aconseguides empíricament, i s’exposaran algunes conclusions tretes de d’utilització del comentat software, encara que aquest anàlisi no és l’objectiu d’aquest projecte. Tot el codi font creat per aquest fi es pot consultar a l’annex d’aquest informe, així com diferents taules i gràfiques relacionades amb els estudis duts a terme. Una d’aquestes possibles lleis físiques que contribueixen a la fallada d’un dau és la influència de l’estat correcte o erroni dels daus en les posicions adjacents. Aquesta idea va ser publicada i ratificada per un grup d’enginyers d’Intel Group© al 2001 (veure referència bibliogràfica [5]). En la segona part d’aquest projecte es desenvoluparà l’aplicació software necessària per a dur a terme aquest estudi, i es procedirà a estudiar la existència d’aquestes influències en les dades disponibles. La comprovació de la generalització dels resultats d’Intel, és el segon objectiu d’aquest projecte. Tanmateix, i fent servir la segona part de l’article anterior (Veure referència bibliogràfica [6]) com a guió per les proves a realitzar, s’ha comprovat la no validesa del mètode exposat per les dades disponibles.
dc.language.isocat
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats
dc.titleAnàlisi de la predicció del yield de circuits integrats a nivell d’oblia: Influència de la posició i de les agrupacions
dc.typeMaster thesis (pre-Bologna period)
dc.rights.accessOpen Access
dc.audience.educationlevelEstudis de primer/segon cicle
dc.audience.mediatorEscola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona
dc.audience.degreeENGINYERIA INDUSTRIAL (Pla 1994)


Fitxers d'aquest items

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple