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dc.contributorBarlabe Dalmau, Antoni
dc.contributor.authorSanchez Henckell, Grey Franck
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
dc.date.accessioned2012-10-24T11:39:18Z
dc.date.available2012-10-24T11:39:18Z
dc.date.issued2012-07
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2099.1/16359
dc.description.abstractActualmente, con el rápido crecimiento de las tecnologías de telefonía móvil celular, cada vez se pide más eficiencia energética a los terminales móviles. Para poder satisfacer esta necesidad, este proyecto presenta el diseño, fabricación y medida de un amplificador de potencia (PA) clase F utilizando un transistor GaN HEMT del proveedor Cree. El objetivo de este proyecto es diseñar un amplificador clase F para la banda GSM, una de las bandas de frecuencia más utilizadas para transmitir en telefonía móvil celular, con alta eficiencia, minimizando la potencia disipada por el amplificador. Por otro lado, en la actualidad todavía no hay ningún amplificador de este tipo para telefonía móvil, sólo se comercializa móviles con amplificadores de clase A y B. El amplificador de potencia clase F es uno de los más eficientes pero también uno de los que presentan mayor dificultad de diseño. El diseño dificultoso de la topología de la red, para el PA clase F, utiliza una técnica novedosa con filtros resonadores, el cual permite el control de los armónicos, proporcionado una mayor eficiencia. Estos filtros estarán compuestos por elementos distribuidos. Es decir, líneas de transmisión microstrip que son muy utilizados en la fabricación de circuitos de radio frecuencia y microondas. El diseño debe conseguir un compromiso entre ganancia, eficiencia y estabilidad del amplificador de potencia, lo que suma a cumplir varios requisitos a la vez para el diseño de este amplificador clase F. Se realiza simulaciones del diseño del amplificador clase F con herramientas sofisticadas del Advanced System Design (ADS), con carácter no lineal. Finalmente, después de simular muchas y diferentes topologías de diseño, el amplificador clase F con un potencia de entrada de 22 dBm a 900 MHz, proporciona una eficiencia de potencia agregada (PAE) de un 68.1 % con una potencia de salida de 6.63 W y una eficiencia del drenador de casi 70 %.
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Processament del senyal::Processament del senyal en les telecomunicacions
dc.subject.lcshAmplifiers, Radio frequency.
dc.subject.lcshCell phones.
dc.subject.otherPAE
dc.subject.otherEstabilidad
dc.subject.otherEficiencia drenador
dc.subject.otherConmutación
dc.subject.otherLoad Pull
dc.subject.otherTensión drenador
dc.subject.otherCorriente drenador
dc.subject.otherBias de entrada
dc.titleAmplificador clase F para telefonía móvil celular
dc.typeMaster thesis (pre-Bologna period)
dc.subject.lemacAmplificadors -- Alta freqüència
dc.rights.accessOpen Access
dc.audience.educationlevelEstudis de primer/segon cicle
dc.audience.mediatorEscola Politècnica Superior d'Enginyeria de Vilanova i la Geltrú


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