Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributorLópez González, Juan Miguel
dc.contributor.authorHurtado Carreira, David
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2011-06-16T10:10:54Z
dc.date.available2011-06-16T10:10:54Z
dc.date.issued2011-06-09
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2099.1/12286
dc.description.abstractCatalà: Són molts els fabricants que utilitzen programes comercials que integren mòduls d'extracció per estimar els paràmetres que modelen els seus dispositius en simuladors de circuits. L'objectiu del present treball és el desenvolupament d'una aplicació capaç d'estimar els paràmetres SPICE que modelen el transistor bipolar, tot això a partir de mesures experimentals reals proporcionades pel fabricant del dispositiu. A més, s'ofereix un compendi de mètodes i tècniques en forma de manual, on es descriu de manera detallada la teoria, si fa o no fa confidencial, amagada darrere de l'extracció de paràmetres en dispositius semiconductors.
dc.description.abstractCastellano: Son muchos los fabricantes que utilizan programas comerciales que integran módulos de extracción para estimar los parámetros que modelan sus dispositivos en simuladores de circuitos. El objetivo del presente trabajo es el desarrollo de una aplicación capaz de estimar los parámetros SPICE que modelan el transistor bipolar, todo ello a partir de medidas experimentales reales proporcionadas por el fabricante del dispositivo. Además, se ofrece un compendio de métodos y técnicas en forma de manual, donde se describe de manera detallada la teoría, poco más o menos confidencial, escondida detrás de la extracción de parámetros en dispositivos semiconductores.
dc.description.abstractEnglish: They are many manufacturers that use commercial programs that integrate extraction modules to estimate the parameters that model their devices in electronic circuit simulators. The objective of the present work is the development of an application able to estimate the parameters SPICE that model the bipolar transistor, everything it starting from experimental real measures provided by the manufacturer of the device. Also, this work offers a summary of methods and technical in manual form, where it is described in a detailed way the theory, not very more or less confidential, hidden behind the extraction of parameters in devices semiconductors.
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors
dc.subject.lcshBipolar transistor
dc.subject.otherSpice parameter estimator program
dc.subject.otherExcel
dc.subject.otherPrograma estimador de parámetros spice
dc.titlePrograma estimador de parámetros spice para transistores bipolares mediante Excel
dc.title.alternativeSpice Parameter Estimator program for bipolar transistors using Excel
dc.typeMaster thesis (pre-Bologna period)
dc.subject.lemacTransistors bipolars
dc.identifier.slugETSETB-230.73409
dc.rights.accessOpen Access
dc.date.updated2011-06-10T06:00:34Z
dc.audience.educationlevelEstudis de primer/segon cicle
dc.audience.mediatorEscola Tècnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona
dc.audience.degreeENGINYERIA ELECTRÒNICA (Pla 1992)


Fitxers d'aquest items

Thumbnail

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple