Debido a la progresiva automatización que está experimentado el entorno que nos rodea y en
respuesta a las exigencias de la sociedad actual, científicos e ingenieros de la industria
microelectrónica han dedicado parte de sus esfuerzos en los últimos años a la investigación y
desarrollo de nuevos materiales que satisfagan las exigencias de un mercado en continua
evolución. Uno de los fenómenos más fascinantes de las últimas décadas y que ha contribuido
enormemente al desarrollo tecnológico en general, y al de la industria microelectrónica en
particular, es el fenómeno de la magnetorresistencia gigante (GMR). Por otro lado, si bien es
cierto que estos materiales avanzados han sido comúnmente preparados por técnicas de
deposición físicas, la tecnología electroquímica se está posicionando como una tecnología
alternativa a los métodos físicos debido no sólo a toda una serie de ventajas con respecto a
aquéllos sino a la calidad de los materiales obtenidos. Es por ello que el presente proyecto se
centra en el desarrollo de dispositivos microelectrónicos (sensores de posición) basados en el
fenómeno GMR, preparándose las láminas de grosor nanométrico del material
magnetorresistivo (siendo éste el sistema cobalto-plata (Co-Ag)) mediante electrodeposición.
En una primera etapa se estudió el proceso de electrodeposición del sistema Co-Ag para
proceder, posteriormente, a la preparación de dicho material. Una vez sintetizados, los
materiales fueron primeramente caracterizados desde un punto de vista estructural,
morfológico y de composición para después determinar las propiedades de interés: magnéticas
y magnetorresistivas. Con la variación de las condiciones de electrodeposición se consiguió
una variación de la composición y de la microestructura de las películas Co-Ag obtenidas, lo
que repercutió directamente en las propiedades magnetorresistivas de las mismas. Este
estudio previo permitió, a su vez, conocer la relación estructura-propiedades del material Co-Ag
electrodepositado. Acorde a esta relación, se modificaron las condiciones de electrodeposición
con el objetivo de maximizar los valores de magnetorresistencia, obteniéndose valores de GMR
de hasta el 7%, valores nunca obtenidos antes por electrodeposición.
Con el material optimizado y en una segunda etapa, se diseñó y caracterizó un sensor de
posición lineal, pudiéndose observar que el material electrodepositado es sensible no sólo a la
presencia de un campo magnético sino a la distancia a la cual está presente, siendo viable, por
tanto, su utilización como sensor de posición lineal. Los ensayos de sensibilidad permitieron
evaluar las características del dispositivo como sensor de posición en un eje vertical (eje Z) y
sobre el eje X ó Y, estableciéndose así las condiciones de operabilidad del dispositivo.
