Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés obert
Llicència
Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Llevat que s'hi indiqui el contrari, els seus continguts estan subjectes a la llicència de Creative Commons: Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
Microstrip coupled lines technology has been used to design and built low noise amplifiers in 20 and 30 GHz bands. Active devices are GaAs MESFET and HEMT in chip form. The amplifiers have input and output waveguide interfaces, probe transitions between microstrip line and rectangular waveguide are described. Two three-stage low noise amplifiers, at 20 and 30 GHz respectively, are presented.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Artal, E., Corbella, I., Busquets, C., Pradell, L. Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "IV simposium nacional de Unión Científica Internacional de Radio: libro de actas: Santander, 25-27 de septiembre de 1989". Santander: 1989, p. 231-235.