A lateral modes model for BAW resonators
Carregant...
Fitxers
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accés
Accés restringit per política de l'editorial
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
An equivalent circuit model to predict lateral modes occurring in real BAW resonators is proposed. The circuit model has been validated with FEM simulations of FBAR resonators and also with measurements of SMR resonators. The model allows to predict the electrical response of square-shaped and rectangular-shaped resonators without limitation on dimensions.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Collado, J., Rocas, E., Verdú, J., Mateu, J., Hueltes, A., Aigner, R. A lateral modes model for BAW resonators. A: IEEE International Ultrasonics Symposium. "IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), 2014: 3-6 Sept. 2014, Chicago, IL". Chicago, Illinois: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2014, p. 1497-1501.
Ajut
Forma part
Dipòsit legal
ISBN
978-1-4799-7050-6