Second order sigma-delta control of charge trapping for MOS capacitors

Carregant...
Miniatura
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:

Projectes de recerca

Unitats organitzatives

Número de la revista

Títol de la revista

ISSN de la revista

Títol del volum

Col·laborador

Editor

Tribunal avaluador

Realitzat a/amb

Tipus de document

Article

Data publicació

Editor

Condicions d'accés

Accés obert

item.page.rightslicense

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets

Assignatures relacionades

Assignatures relacionades

Publicacions relacionades

Datasets relacionats

Datasets relacionats

Projecte CCD

Abstract

This paper presents the circuit topology of a second order sigma-delta control of charge trapping for MOS capacitors. With this new topology it is possible to avoid the presence of plateaus that can be found in first-order sigma-delta modulators. Plateaus are unwanted phenomena in which the control is locked for a certain time interval (of unknown duration). In this case the control output is constant and therefore the controlled device is in fact in open-loop configuration. It is shown that the presence of plateaus is avoided in MOS capacitors using the proposed approach.

Descripció

Persones/entitats

Document relacionat

Versió de

Citació

Bheesayagari, C., Gorreta, S., Pons, J., Dominguez, M. Second order sigma-delta control of charge trapping for MOS capacitors. "Microelectronics reliability", 1 Setembre 2017, vol. 76-77, p. 635-639.

Ajut

Forma part

Dipòsit legal

ISBN

ISSN

0026-2714

Altres identificadors

Referències