This Project explores the creation of solar cell emitters using phosphorous-doped passivation and antireflective layers in stack configuration, deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) to create a n-type emitter inside a p-type substrate and at the same time using its excellent passivation and antireflective properties (with surface recombination velocity about 20 cm/s ). The result is a structure ready to apply the final metallization process to obtain a solar cell. With this technique, emitter saturation current density can be decreased to values around 140 fA/cm2, therefore obtaining open circuit voltages values around 700mV for emitter sheet resistance values in the range of 80 Ω/sq.

Este proyecto explora la creación de emisores de una célula solar utilizando el fósforo de una doble capa pasivante y antireflejante depositada con la técnica Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) para crear la zona tipo N dentro de un sustrato P y aprovechar a su vez las buenas propiedades pasivantes (con velocidades de recombinación de 20 cm/s) y antireflejantes de la capa. Dejando la estructura precursora de la célula solar lista para el proceso final de metalización. Con esta técnica se obtiene una disminución del valor de la densidad de corriente inversa de saturación entorno a 140 fA/cm2 que producen tensiones de circuito abierto cercanas a 700 mV para resistencias de cuadro alrededor de 80 Ω/sq.

Aquest projecte explora la creació d’emissors d’una cèl•lula solar utilitzant el fòsfor d’una doble capa passivant i antireflectant dipositada amb la tècnica Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) per crear la zona tipus N dins d’un substrat P i aprofitar a la vegada les bones propietats passivants (amb velocitats de recombinació de 20 cm/s) i antireflectants de la capa. Deixant l’estructura precursora de la cèl•lula solar llesta pel procés final de metal•lització. Amb aquesta tècnica s’obté una disminució del valor de la densitat de corrent inversa de saturació a l’entorn de 140 fA/cm2 que produeix tensions de circuit obert properes a 700mV per resistència de quadre al voltant de 80 Ω/sq.