Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Cita com:
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Article
Data publicació
Editor
JOHN WILEY & SONS INC
Condicions d'accés
Accés obert
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
This paper presents a method to characterize the excess noise ratio (ENR) of an unmatched avalanche noise diode for application as an on-wafer noise source. It is based on the determination of a broadband device noise circuit-model from its measured reflection coefficient and noise powers. Measured ENR is used to calibrated a noise receiver up to 40 GHz.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Maya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source. Microwave and optical technology letters, 2003, vol. 38, núm. 2, p. 89-92.
Ajut
Forma part
DOI
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
0895-2477