Design of a CMOS temperature sensor in 180 nm for image sensor ICs
Carregant...
Fitxers
tempsens.pdf (2.21 MB) (Accés restringit)
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Cita com:
Autors
Correu electrònic de l'autor
Tutor / director
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Projecte Final de Màster Oficial
Data
Condicions d'accés
Accés restringit per acord de confidencialitat
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A temperature sensor based on a diode-connected BJT will be designed for the −40 ºC to +100 ºC temperature range and an accuracy of ±1.5 ºC after a one–point calibration. The sensor will be developed from a theoretical point of view and the performance will be checked by extensive simulations, putting special emphasis on the design robustness against PVT variations. The sensor should be laid out at some point during Winter 2020.