Characterization of random telegraph noise and its impact on reliability of SRAM sense amplifiers
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A new method for the analysis of multilevel Random Telegraph Noise (RTN) signals has been recently presented, which can also be applied in the case of large background noise. In this work, the method is extended to evaluate the RTN-related variation of the device drain current. The RTN parameters obtained from experimental traces are used to simulate the impact of RTN in the drain current of pMOS transistors in SRAM voltage sense amplifiers. The results show that RTN can lead to read errors of the stored data.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Martín, J. [et al.]. Characterization of random telegraph noise and its impact on reliability of SRAM sense amplifiers. A: European Workshop on CMOS Variability. "2014 5th European Workshop on CMOS Variability (VARI)". Palma Mallorca, Illes Balears: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2014, p. 1-6.
Ajut
Forma part
Dipòsit legal
ISBN
978-1-4799-5399-8