Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Article
Data publicació
Editor
Institution of Electrical Engineers
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C, ,INT, C,,7NT, Re(C,,
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Lazaro, A., Pradell, L., Beltrán, A., O'callaghan, J. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements. "Electronics Letters", Febrer 1998, vol. 34, núm. 3, p. 289-291.
Ajut
Forma part
DOI
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
0013-5194