8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations
Carregant...
Fitxers
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Llevat que s'hi indiqui el contrari, els seus continguts estan subjectes a la llicència de Creative Commons: Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Rodríguez-Montañés, R. [et al.]. 8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "DCIS 2011". Albufeira: 2011, p. 155-160.
Ajut
Forma part
DOI
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
Versió de l'editor
Altres identificadors
Referències
Col·leccions
Altres - Enviament des de DRAC
QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos
QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos
Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos
QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos
QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos
Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos