SRAM cell stability metric under transient voltage noise
| dc.contributor.author | Vatajelu, Elena Ioana |
| dc.contributor.author | Gómez Pau, Álvaro |
| dc.contributor.author | Renovell, Michel |
| dc.contributor.author | Figueras Pàmies, Joan |
| dc.contributor.group | Universitat Politècnica de Catalunya. QinE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat |
| dc.contributor.other | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
| dc.date.accessioned | 2015-01-12T16:17:26Z |
| dc.date.created | 2013-12-20 |
| dc.date.issued | 2013-12-20 |
| dc.description.version | Postprint (published version) |
| dc.format.extent | 6 p. |
| dc.identifier.citation | Vatajelu, E. [et al.]. SRAM cell stability metric under transient voltage noise. "Microelectronics journal", 20 Desembre 2013, vol. 45, núm. 10, p. 1348-1353. |
| dc.identifier.doi | 10.1016/j.mejo.2013.11.005 |
| dc.identifier.issn | 0026-2692 |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/2117/25228 |
| dc.language.iso | eng |
| dc.rights.access | Restricted access - publisher's policy |
| dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
| dc.subject.lcsh | Electronics |
| dc.subject.lemac | Memòries digitals |
| dc.title | SRAM cell stability metric under transient voltage noise |
| dc.type | Article |
| dspace.entity.type | Publication |
| local.citation.author | Vatajelu, E.; Álvaro Gómez-Pau; Renovell, M.; Figueras, J. |
| local.citation.endingPage | 1353 |
| local.citation.number | 10 |
| local.citation.publicationName | Microelectronics journal |
| local.citation.startingPage | 1348 |
| local.citation.volume | 45 |
| local.identifier.drac | 14991331 |
Fitxers
Paquet original
1 - 1 de 1
Carregant...
- Nom:
- sram cell.pdf
- Mida:
- 2.84 MB
- Format:
- Adobe Portable Document Format
- Descripció:
- Article principal