Caracterización de dispositivos de AsGa MESFET. Amplificadores de bajo ruido. Ganancia máxima. Ampliación del margen dinámico
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Llevat que s'hi indiqui el contrari, els seus continguts estan subjectes a la llicència de Creative Commons: Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A method for de characterization of solid state amplifying devices has been developed thats allows one the determination of the input and o output amplifier, matching networks for low noise, maximum power transfer and maximum output power compatible with system linearity. The method as the same for the three purposes permithings the small signal as well the large signal device characterization. The work assumes that the device polarization is fixed by the particular application.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
de los Reyes, E., Elias, A. Caracterización de dispositivos de AsGa MESFET. Amplificadores de bajo ruido. Ganancia máxima. Ampliación del margen dinámico. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "URSI 1980: Unión Radio Científica Internacional: I symposium nacional: Madrid: 7-8 octubre 1980". Madrid: 1980, p. 309-312.