Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Llevat que s'hi indiqui el contrari, els seus continguts estan subjectes a la llicència de Creative Commons: Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Lazaro, A., Pradell, L., O'callaghan, J., Perez-Pueyo, R., Soneira, M.J. Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "URSI 1998: URSI'98: Unión Científica Internacional de Radio: XIII Simposium Nacional: Pamplona: 16-18 septiembre". Pamplona: 1998, p. 505-506.
Ajut
Forma part
DOI
Dipòsit legal
ISBN
84-89654-12-3
ISSN
Versió de l'editor
Altres identificadors
Referències
Col·leccions
Altres - Enviament des de DRAC
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones - Ponències/Comunicacions de congressos
GCO - Grup de Comunicacions Òptiques - Ponències/Comunicacions de congressos
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones - Ponències/Comunicacions de congressos
GCO - Grup de Comunicacions Òptiques - Ponències/Comunicacions de congressos
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos