Stabilization of Broad Area Semiconductor Laser Sources
Carregant...
Fitxers
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accés
Accés obert
item.page.rightslicense
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
We numerically proof the stabilization of broad area semiconductor laser sources by introducing simultaneous in-phase two-dimensional modulations on the refractive index and on the pump (gain). We also examine the interplay between the index and gain modulations and the effect of the slow relaxation of carriers on the stability performance.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Medina, J. [et al.]. Stabilization of Broad Area Semiconductor Laser Sources. A: International Conference on Transparent Optical Networks. "ICTON 2018: 20th Anniversary International Conference on Transparent Optical Networks: 1-5 July 2018, Bucharest, Romania". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018, p. 1-3.
Ajut
Forma part
Dipòsit legal
ISBN
978-1-5386-6604-3