A large signal nonlinear MODFET model from small signal S-parameters
Carregant...
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Text en actes de congrés
Data publicació
Editor
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accés
Accés obert
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A general technique for predicting the MODFET large signal performance has been developed. The technique is based entirely on experimental data (small signal S-parameters at different biased points) and therefore is independent of the structure of the FET. Software requirements include a program to fit an equivalent circuit to S parameter data; a simple least-square polynomial approximation program; and SPICE for nonlinear time-domain simulations. Hardware requirements are basically limited to a network analyzer to carry out the small-signal S parameter measurements. Measurements at 10 GHz confirm the validity of the model.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
O'callaghan, J., Beyer, J. A large signal nonlinear MODFET model from small signal S-parameters. A: IEEE MTT-S International Microwave Symposium. "Microwave Symposium Digest (MTT), 1989 IEEE MTT-S International". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1989, p. 347-350.