Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Carregant...
Fitxers
El pots comprar en digital a:
El pots comprar en paper a:
Títol de la revista
ISSN de la revista
Títol del volum
Cita com:
Col·laborador
Editor
Tribunal avaluador
Realitzat a/amb
Tipus de document
Article
Data publicació
Editor
IEE
Condicions d'accés
Accés obert
Llicència
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització de la persona titular dels drets
Publicacions relacionades
Datasets relacionats
Projecte CCD
Abstract
A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C11INT, C22INT, Re(C12INT), Im(C12INT)) by fitting the measured device noise figure for a matched source reflection coefficient (F50) at a number of frequency points. In contrast to previous works, no restrictive assumptions are made on the intrinsic noise sources.
Descripció
Persones/entitats
Document relacionat
Versió de
Citació
Lazaro, A.; Pradell, L.; Beltran, A.; O'Callaghan, J.M. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 Ω noise figure measurements. Electronics Letters, 1998, vol.34, núm.3, p.289-291. ISSN:0013-5194
Ajut
Forma part
DOI
Dipòsit legal
ISBN
ISSN
0013-5194