Exploració per tema "Nitrur de gal·li"
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A wideband Doherty-like architecture using a Klopfenstein taper for load modulation
(2015-11-02)
Article
Accés obertA novel Doherty-like power amplifier (DPA) has been fabricated using 15 W, 2.7 GHz, GaN HEMT transistors. The quarter-wave transformer used in the classical DPA topology is replaced by a matching network including a ... -
Analysis of a gate-driving technique for enhancing the GaN power transistors performance
(Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2023)
Text en actes de congrés
Accés obertThis paper presents an analysis of a gate-driving technique for enhancing the switching performance of gallium nitride (GaN) power transistors. The technique consists of modifying the Pulse Width Modulated (PWM) signal ... -
Estudio de un convertidor resonante para la carga de vehículos eléctricos
(Universitat Politècnica de Catalunya, 2019-04)
Projecte Final de Màster Oficial
Accés obertEn este proyecto se presenta el estudio y diseño de un convertidor multinivel resonante para la carga inalámbrica de las baterías en los vehículos eléctricos. El diseño recoge la etapa principal de DC-AC junto con la ... -
Estudio y diseño de un convertidor basado en GaN
(Universitat Politècnica de Catalunya, 2016-10)
Treball Final de Grau
Accés restringit per decisió de l'autorEn este proyecto se ha realizado el diseño de un convertidor trifásico conmutado utilizando semiconductores basados en Nitruro de Galio (GaN)como material semiconductor en los transistores de potencia. Para ello, se ha ... -
Simulation, validation and prototyping stages of a power electronic system
(Universitat Politècnica de Catalunya, 2023-01-12)
Treball Final de Grau
Accés restringit per decisió de l'autorThis report will discuss the progress for making, designing and testing a PCB. The first chapter of the report will be an introduction to the subject. It discusses the requirements, the time table and the general scope of ...