DSpace DSpace UPC
 English   Castellano   Català  

Treballs academics UPC >
Escola Tècnica Superior d'Enginyeria Industrial de Barcelona >
Enginyeria de Materials >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2099.1/4782

Arxiu Descripció MidaFormat
Katerina Bitsos pfc.pdfMemoria2,45 MBAdobe PDFVeure/Obrir

Títol: Efecto de la concentración de itria en el comportamiento bajo nanoindentación de mono-cristales de circona dopados con itria
Autor: Bitsos, Katerina
Tutor/director/avaluador: Gaillard, Yves Veure Producció científica UPC
Universitat: Universitat Politècnica de Catalunya
Càtedra /Departament: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Ciència dels Materials i Enginyeria Metal•lúrgica
Matèries: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria dels materials::Metal·lúrgia
Materials – Testing
Strength of materials
Itri
Assaigs de materials – Resistencia
Data: feb-2008
Tipus de document: Master thesis (pre-Bologna period)
Resum: En este proyecto se trata en primer lugar de estudiar la anisotropía de ensayos de nanoindentación entre diferentes orientaciones cristalográficas {100}, {110} y {111} y tratar de relacionar la posible anisotropía con los mecanismos de deformación puesto en juego durante la indentación. En segundo lugar, se tratara de comparar cristales con diferentes concentraciones de itria. Para se realizarán ensayos de nanoindentación en monocristales de circona dopado itria con diferentes porcentaje de itria: 9, 24, 28 y 32 mol%. Las huellas residuales de indentación se observarán mediante microscopia de fuerza atómica con el fin de de determinar los mecanismos de deformación (grietas dislocaciones) y los sistemas de deslizamiento. Particularmente se compararán los niveles de tensiones para inducir la deformación plástica y también la movilidad de las dislocaciones. Se ha demostrado que existe una anisotropía elástica entre la superficie (100) y las otras mientras que el límite elástico de la superficie (110) aparece más elevado que las (100) y (111).
Descripció: Doble titulació
URI: http://hdl.handle.net/2099.1/4782
Apareix a les col·leccions:Enginyeria de Materials
Comparteix:



SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius