DSpace DSpace UPC
 English   Castellano   Català  

Treballs academics UPC >
Màsters Oficials >
Màster universitari en Enginyeria Electrònica >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2099.1/11722

Arxiu Descripció MidaFormat
Memoria.pdf5,01 MBAdobe PDFVeure/Obrir

Títol: Modelización de un DHBT Tipo-I InP/InGaAs mediante el simulador numérico ATLAS
Altres títols: Type-I InP/InGaAs DHBT modelling using ATLAS Numerical Simulator
Autor: Maqueda González, Maria De Los Angeles
Tutor/director/avaluador: López González, Juan Miguel Veure Producció científica UPC
Universitat: Universitat Politècnica de Catalunya
Càtedra /Departament: Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
Matèries: Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica i telecomunicacions::Components electrònics::Transistors
Bipolar transistors
Bipolar transistors
Computer simulation
Electronic engineering
Semiconductors
Ingeniería electrónica
Semiconductores
Simulación por ordenador
Transistors bipolars
Data: 20-des-2010
Tipus de document: Master thesis
Resum: Català: El present treball es desenvolupa entorn de la modelització d'un transistor bipolar de doble heterounió (DHBT). En concret, s'estudia un dispositiu Tipus-I basat en la utilització de materials semiconductors III-V com són el InP (fosfur d?indi) i InGaAs (aliatge ternari d'indi, gal-li i arseni). Per dur a terme totes les simulacions d'aquesta tesi, s'ha fet ús del simulador numèric ATLAS de la companyia SILVACO. Amb l'objectiu d'avaluar la bondat del model, es realitza una comparació amb valors experimentals i amb resultats de simulacions realitzades amb l'eina TCAD DESSIS de Synopsys del comportament en contínua del dispositiu. S'analitzen el models i paràmetres de transport i les propietats físiques del dispositiu estudiant i discutint els models disponibles a la literatura i la forma d'implementar-los al simulador. Finalment, es procedeix a analitzar el nivell d'influència de certs factors (paràmetres de transport com la movilitat de portadors o propietats físiques com per exemple el fenomen del band gap narrowing) sobre el comportament en contínua del dispositiu. Per últim, s'estudia l'impacte de l'escalat de diferents regions.
Castellano: El presente trabajo se desarrolla en torno a la modelización de un transistor bipolar de doble heterounión (DHBT). En concreto, se estudia un dispositivo Tipo-I basado en la utilización de materiales semiconductores III-V como son el InP (fosfuro de indio) e InGaAs (aleación ternaria de indio, galio y arsenio). Para llevar a cabo todas las simulaciones de esta tesis, se ha hecho uso del simulador numérico ATLAS de la compañía SILVACO. Con el objetivo de evaluar la bondad del modelo, se realiza una comparación con valores experimentales y con resultados de simulaciones realizadas con la herramienta TCAD DESSIS de Synopsys del comportamiento en continua del dispositivo. Se analizan los modelos y parámetros de transporte y las propiedades físicas del dispositivo estudiando y discutiendo los modelos disponibles en la literatura y la forma de implementarlos en el simulador. Finalmente, se procede a analizar el nivel de influencia de ciertos factores (parámetros de transporte como la movilidad de portadores ó propiedades físicas como por ejemplo el fenómeno del band gap narrowing) sobre el comportamiento en continua del dispositivo. Por último se estudia el impacto del escalado de diferentes regiones del mismo.
English: A double heterojunction bipolar transistor (DHBT) modeling has been developed in this work. In particular, a Type-I device is studied, which is based on the use of III-V semiconductor materials such as InP (indium phosphide) and InGaAs (ternary alloy of indium, gallium and arsenic). ATLAS numerical simulator from SILVACO company has been used to carry out all simulations in this thesis. In order to evaluate the model accuracy, a comparison is made with experimental data and simulation results from DESSIS TCAD tool from Synopsys. This exercise is focused on DC behavior of the device. Transport model and device physical propierties have been analyzed by means of studying and discussing the available models in the literature and its implementation in the simulator. Finally, relative impact of certain factors (transport parameters such as carrier mobility or physical properties as for instance band gap narrowing) has been analyzed over DC behavior of the device. To conclude, DHBT is vertically scaled with the purpose of studying the influence.
URI: http://hdl.handle.net/2099.1/11722
Condicions d'accés: Open Access
Apareix a les col·leccions:Màster universitari en Enginyeria Electrònica
Comparteix:



SFX Query

Aquest ítem (excepte textos i imatges no creats per l'autor) està subjecte a una llicència de Creative Commons Llicència Creative Commons
Creative Commons

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius