Mechanisms for conduction via low-frequency noise measurements of High-Tc Thin-film microbridges
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/991
Tipus de documentArticle
Data publicació1995-01-31
EditorIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We have investigated possible mechanisms for conduction in high-T/sub c/ thin-film microbridges biased into the voltage state via the low-frequency noise properties. Measurements on thinned YBCO microbridges indicate that the voltage noise power spectral density S/sub V/(f) is proportional to the DC voltage.
CitacióNguyen, T.; O'Callaghan, J. M.; Davidson, B. A.; Redwing, R. D.; Hohenwarter, G. K. G.; Nordman, J. E.; Beyer, J. B.; Mechanisms for conduction via low-frequency noise measurements of high-Tc/sub c/thin film microbridges. IEEE Transactions on applied superconductivity, 1995, vol. 5, núm. 2, p. 3369-3372.
ISSN1051-8223
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
mechanisms for conduction.pdf | 409,1Kb | Visualitza/Obre |