SiC Schottky diode electrothermal macromodel
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/8687
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2010
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents a SiC Schottky diode model including static, dynamic and thermal features implemented as separate parameterized blocks constructed from SPICE Analog Behavioral Modeling (ABM) controlled sources. The parameters for each block are easy to extract, even from readily available diode data sheet information. The model complexity is low thus allowing reasonably long simulation times to cope with the rather slow self heating process and yet accurate enough for practical purposes.
CitacióMasana, F. SiC Schottky diode electrothermal macromodel. A: Mixed Design of Integrated Circuits and Systems. "MIXDES". Wroslaw: 2010, p. 371-374.
ISBN978-83-928756-3-5
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Polka_10.pdf | SiC Schottky Diode Electrothermal Macromodel | 284,0Kb | Visualitza/Obre |