Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/86306
Tipus de documentArticle
Data publicació1998-02
EditorInstitution of Electrical Engineers
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C, ,INT, C,,7NT, Re(C,,
CitacióLazaro, A., Pradell, L., Beltrán, A., O'callaghan, J. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements. "Electronics Letters", Febrer 1998, vol. 34, núm. 3, p. 289-291.
ISSN0013-5194
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Direct extracti ... istor noise parameters.pdf | 441,0Kb | Visualitza/Obre |