A large signal nonlinear MODFET model from small signal S-parameters
Cita com:
hdl:2117/85677
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1989
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A general technique for predicting the MODFET large signal performance has been developed. The technique is based entirely on experimental data (small signal S-parameters at different biased points) and therefore is independent of the structure of the FET. Software requirements include a program to fit an equivalent circuit to S parameter data; a simple least-square polynomial approximation program; and SPICE for nonlinear time-domain simulations. Hardware requirements are basically limited to a network analyzer to carry out the small-signal S parameter measurements. Measurements at 10 GHz confirm the validity of the model.
CitacióO'callaghan, J., Beyer, J. A large signal nonlinear MODFET model from small signal S-parameters. A: IEEE MTT-S International Microwave Symposium. "Microwave Symposium Digest (MTT), 1989 IEEE MTT-S International". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 1989, p. 347-350.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
A large signal ... ll signal S-parameters.pdf | 270,2Kb | Visualitza/Obre |