Pespectives of TFET devices in ultra-low power charge pumps for thermo-electric energy sources
Visualitza/Obre
Post-Print (826,0Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/85307
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2015
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
The superior electrical characteristics of the heterojunction III-V Tunnel FET (TFET) devices can outperform current
technologies in the process of energy harvesting conversion at ultra-low power supply voltage operation (sub-0.25 V). In this work, it is
shown by simulations that a cross-coupled switched-capacitor topology with GaSb-InAs TFET devices present better conversion
performance compared to the use of Si FinFET technology at low temperature variations
(¿T < 3 ºC) when considering a thermo-electric energy harvesting source (with a = 80 mV/K). At higher ¿T, the conversion process is
degraded with the increase of the transistor losses. Considering a ¿T of 1 ºC (2 ºC), one cross-coupled stage with TFET devices can
achieve 74 % (69 %) of power conversion efficiency when considering an output load of 0.4 µA (6 µA). At the same conditions, the
FinFET charge pump is shown inefficient.
CitacióNunes, D., Moll, F., Valtchev, S. Pespectives of TFET devices in ultra-low power charge pumps for thermo-electric energy sources. A: IEEE International Symposium on Circuits and Systems. "2015 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS 2015): Lisbon, Portugal: 24-27 May 2015". Lisbon: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015, p. 1082-1085.
ISBN9781479983926
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
ISCAS_TFET_FINAL_post_print.pdf | Post-Print | 826,0Kb | Accés restringit |