Impact of Vacancies on Diffusive and Pseudodiffusive Electronic Transport in Graphene
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/84763
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-04-08
EditorMDPI
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We present a survey of the effect of vacancies on quantum transport in graphene, exploring conduction regimes ranging from tunnelling to intrinsic transport phenomena. Vacancies, with density up to 2%, are distributed at random either in a balanced manner between the two sublattices or in a totally unbalanced configuration where only atoms sitting on a given sublattice are randomly removed. Quantum transmission shows a variety of different behaviours, which depend on the specific system geometry and disorder distribution. The investigation of the scaling laws of the most significant quantities allows a deep physical insight and the accurate prediction of their trend over a large energy region around the Dirac point.
CitacióCresti, Alessandro [et al.]. Impact of Vacancies on Diffusive and Pseudodiffusive Electronic Transport in Graphene. "Crystals", 08 Abril 2013, vol. 3, núm. 2, p. 289-305.
ISSN2073-4352
Versió de l'editorhttp://www.mdpi.com/2073-4352/3/2/289
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Impact of vacancies.pdf | 852,4Kb | Visualitza/Obre |