Estudio de un a odulador de fase seaiconductor con estructura PIB sobre InGaAsP
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/84515
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1991
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
We have analyzed theoretically the design of phase rnodulators on serniconductors-PIN-structure waveguides. The semiconductor material here considered is the InGaAsP. Our analysis include a study of the guide width and the concentration of carriers in the cover and substrate.
CitacióMoreno, M., Canal, F. Estudio de un a odulador de fase seaiconductor con estructura PIB sobre InGaAsP. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 1061-1065.
ISBN84-600-7766-7
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Estudio de un a odulador de fase seaiconductor.pdf | 2,131Mb | Visualitza/Obre |