Far-field narrowing in spatially modulated broad-area edge-emitting semiconductor amplifiers
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/81487
Tipus de documentArticle
Data publicació2015-05-01
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We perform a detailed theoretical analysis of the far-field narrowing in broad-area edge-emitting semiconductor amplifiers that are electrically injected through contacts periodically modulated in both longitudinal and transverse directions. The beam propagation properties within the semiconductor amplifier are explored by a (1 + 2)-dimensional traveling wave model and its coupled-mode approximation. Assuming a weak field regime, we analyze the impact of different parameters and modulation geometry on the narrowing of the principal far-field component.
Descripció
© 2015 [Optical Society of America]. One print or electronic copy may be made for personal use only. Systematic reproduction and distribution, duplication of any material in this paper for a fee or for
commercial purposes, or modifications of the content of this paper are prohibited.
CitacióRadziunas, M., Herrero, R., Botey, M., Staliunas, K. Far-field narrowing in spatially modulated broad-area edge-emitting semiconductor amplifiers. "Journal of the Optical Society of America B. Optical physics", 01 Maig 2015, vol. 32, núm. 5, p. 993-1000.
ISSN0740-3224
Versió de l'editorhttps://www.osapublishing.org/josab/abstract.cfm?uri=josab-32-5-993
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
BAamplifierRevised.pdf | 947,1Kb | Visualitza/Obre |