Carrier-Wave Rabi-Flopping Signatures in High-Order Harmonic Generation for Alkali Atoms
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/76490
Tipus de documentArticle
Data publicació2015-04-08
EditorAPS Physics
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We present a theoretical investigation of carrier-wave Rabi flopping in real atoms by employing numerical simulations of high-order harmonic generation (HHG) in alkali species. Given the short HHG cutoff, related to the low saturation intensity, we concentrate on the features of the third harmonic of sodium (Na) and potassium (K) atoms. For pulse areas of 2π and Na atoms, a characteristic unique peak appears, which, after analyzing the ground state population, we correlate with the conventional Rabi flopping. On the other hand, for larger pulse areas, carrier-wave Rabi flopping occurs, and is associated with a more complex structure in the third harmonic. These characteristics observed in K atoms indicate the breakdown of the area theorem, as was already demonstrated under similar circumstances in narrow band gap semiconductors.
ISSN0031-9007
Versió de l'editorhttp://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.114.143902
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1501.04021.pdf | 1,168Mb | Visualitza/Obre |