Improvement of driver to gate coupling circuits for SiC MOSFETS
Visualitza/Obre
06864667.pdf (494,2Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/26763
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2014
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This work presents a study of the influence of different gate driver circuits on the switching behavior of SiC MOSFET devices used in a buck converter. The paper is based on several tests performed to determine the switching times and switching losses, using different reverse bias VGS voltage levels and different passive RCD (Resistance Capacitor Diode) circuits to interface the driver to the SiC MOSFET gate.
CitacióBalcells, J. [et al.]. Improvement of driver to gate coupling circuits for SiC MOSFETS. A: IEEE International Symposium on Industrial Electronics. "IEEE 23rd International Symposium on Industrial Electronics (ISIE 2014): 1-4 June 2014: Grand Cevahir Hotel and Convention Center, Istanbul, Turkey: proceedings". Istanbul: Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2014, p. 521-525.
ISBN978-1-4799-2400-4
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
06864667.pdf | 494,2Kb | Accés restringit |