Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributor.authorAmat Bertran, Esteve
dc.contributor.authorCalomarde Palomino, Antonio
dc.contributor.authorAlmudever, Carmen G.
dc.contributor.authorAymerich Capdevila, Nivard
dc.contributor.authorCanal Corretger, Ramon
dc.contributor.authorRubio Sola, Jose Antonio
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2015-03-03T16:49:41Z
dc.date.available2015-03-03T16:49:41Z
dc.date.created2013
dc.date.issued2013
dc.identifier.citationAmat, Esteve [et al.]. FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior. A: Intel Ireland Research Conference. "Intel Ireland Research Conference". 2013.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/26567
dc.description.abstractIn this work, we assess the performance of a ring oscillator and a DRAM cell when they are implemented with different technologies (planar CMOS, FinFET and III-V MOSFETs), and subjected to different reliability scenarios (variability and soft errors). FinFET-based circuits show the highest robustness against variability and soft error environments.
dc.language.isoeng
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject.lcshElectronic circuits
dc.titleFinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior
dc.typeConference lecture
dc.subject.lemacCircuits electrònics
dc.contributor.groupUniversitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
dc.contributor.groupUniversitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors
dc.description.peerreviewedPeer Reviewed
dc.rights.accessOpen Access
local.identifier.drac15375136
dc.description.versionPostprint (published version)
local.citation.authorAmat, Esteve; Calomarde, A.; Almudever, C.G.; Aymerich, N.; Canal, R.; Rubio, A.
local.citation.contributorIntel Ireland Research Conference
local.citation.publicationNameIntel Ireland Research Conference


Fitxers d'aquest items

Thumbnail

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple