Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/2618
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2008-06
EditorIEEE
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents recent measurements and
modeling of the third order intermodulation products of a Film
Bulk Acoustic Resonator (FBAR), for a various values of
frequency spacing between driving tones. The frequency
dependence of voltage and current in the acoustic branch rules
out a voltage-dependent nonlinearity. The results show different
slopes at resonance and antiresonance, which are correctly
adjusted by the model with a current dependent inductor and/or
capacitor. The intermodulation distortion is found to be
dependent on the frequency spacing between driving tones,
indicating memory effects.
CitacióRocas, E; Collado, C; Mateu, J; Campanella, H; O'Callaghan, J.M. Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance. IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2008, Atlanta,GA, USA, p. 1259-1268.
ISBN978-1-4244-1780-3
ISSN0149-645X
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Collado.pdf | 546,7Kb | Visualitza/Obre |