Mostra el registre d'ítem simple

SRAM cell stability metric under transient voltage noise

dc.contributor.authorVatajelu, Elena Ioana
dc.contributor.authorGómez Pau, Álvaro
dc.contributor.authorRenovell, Michel
dc.contributor.authorFigueras Pàmies, Joan
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2015-01-12T16:17:26Z
dc.date.created2013-12-20
dc.date.issued2013-12-20
dc.identifier.citationVatajelu, E. [et al.]. SRAM cell stability metric under transient voltage noise. "Microelectronics journal", 20 Desembre 2013, vol. 45, núm. 10, p. 1348-1353.
dc.identifier.issn0026-2692
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/25228
dc.format.extent6 p.
dc.language.isoeng
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject.lcshElectronics
dc.titleSRAM cell stability metric under transient voltage noise
dc.typeArticle
dc.subject.lemacMemòries digitals
dc.contributor.groupUniversitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat
dc.identifier.doi10.1016/j.mejo.2013.11.005
dc.rights.accessRestricted access - publisher's policy
local.identifier.drac14991331
dc.description.versionPostprint (published version)
dc.date.lift10000-01-01
local.citation.authorVatajelu, E.; Álvaro Gómez-Pau; Renovell, M.; Figueras, J.
local.citation.publicationNameMicroelectronics journal
local.citation.volume45
local.citation.number10
local.citation.startingPage1348
local.citation.endingPage1353


Fitxers d'aquest items

Imatge en miniatura
Nom:
sram cell.pdf
Mida:
2,842Mb
Format:
PDF
Descripció:
Article principal
Visualitza/Obre

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple