Comparison of air gap breakdown and substrate injection as mechanisms to induce dielectric charching in microelectromechanical switches
Visualitza/Obre
Molinero.pdf (159,0Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/2442
Tipus de documentArticle
Data publicació2008-01-29
EditorAmerican Institute of Physics
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Experiments show that air breakdown and substrate carrier conduction can be responsible of the
dielectric charging of microelectromechanical devices after electrical stress. Test conducted under
vacuum allows us to isolate the two mechanisms. It is also shown that the relative importance of the
two mechanisms depends on the dielectric nature and technology.
CitacióMolinero, D.; Castañer, L. Comparison of air gap breakdown and substrate injection as mechanisms to induce dielectric charching in microelectromechanical switches. A: Applied Physics Letters, 2008, vol. 92, 043502.
ISSN0003-6951
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Molinero.pdf | 159,0Kb | Accés restringit |