Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment
Visualitza/Obre
Orpella.pdf (62,36Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/2440
Tipus de documentArticle
Data publicació2004-03-01
EditorAmerican Institute of Physics
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A completely dry low-temperature process has been developed to passivate 3.3 Ωcm p-type
crystalline silicon surface with excellent results. Particularly, we have investigated the use of a
hydrogen plasma treatment, just before hydrogenated amorphous silicon carbide (a-SiCx:H)
deposition, without breaking the vacuum. We measured effective lifetime, Τ eff , through a
quasi-steady-state photoconductance technique. Experimental results show that hydrogen plasma
treatment improves surface passivation compared to classical HF dip. Seff values lower than 19
cm s -1 were achieved using a hydrogen plasma treatment and an a-SiCx:H film deposited at 300°C.
CitacióMartín, I.; Vetter, M.; Orpella, A.; Voz, C.; Puigdollers, J.; Alcubilla, R.; Kharchenko, A.V.; Roca, P. Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment. A: Applied Physics Letters, 2004, v. 89, p. 1474-1746.
ISSN0003-6951
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Orpella.pdf | 62,36Kb | Accés restringit |