Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films
Visualitza/Obre
Nadazdy.pdf (78,48Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/2425
Tipus de documentArticle
Data publicació2007-02-28
EditorAmerican Institute of Physics
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The authors report on a metastable defect observed in pentacene thin films. The defect, which is
characterized by a hole trap at Ev+0.6 eV and attempt-to-escape frequency of 5x1012 s−1, can be
reversibly created/removed under a negative/positive bias voltage applied to the aluminum/
pentacene Schottky diode at room temperature in air. Annealing the sample in vacuum at 360 K
removes the defect and prevents its creation by application of any bias voltage in vacuum.
Considering recent calculations of defects in pentacene the authors assume that the defect is formed
by replacing one of the hydrogen atoms by an oxygen atom (C22 H13 O).
CitacióNadaždy, V.; Durný, R.; Puigdollers, J.; Voz, C.; Cheylan, S.; Gmicová, K. Experimental observation of oxygen-related defect state in pentacene thin films. A: Applied Physics Letters, 2007, vol,. 90, 092112.
ISSN0003-6951
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Nadazdy.pdf | 78,48Kb | Accés restringit |