Sub-Bandgap external quantum efficiency in Ti implanted Si heterojunction with intrinsic thin layer cells
Visualitza/Obre
Silvestre_Sub-bandgap JJAP-52-122302_OK DRAC.pdf (611,3Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/21236
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-11
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
In this work we present the manufacturing processes and results obtained from the characterization of heterojunction with intrinsic thin layer solar cells that include a heavily Ti ion implanted Si absorbing layer. The cells exhibit external circuit photocurrent at photon energies well below the Si bandgap. We discuss the origin of this below-bandgap photocurrent and the modifications in the hydrogenated amorphous intrinsic Si layer thickness to increase the open-circuit voltage.
CitacióSilvestre, S. [et al.]. Sub-Bandgap external quantum efficiency in Ti implanted Si heterojunction with intrinsic thin layer cells. "Japanese journal of applied physics", Novembre 2013, vol. 52, p. 122302-1-122302-5.
ISSN0021-4922
Versió de l'editorhttp://iopscience.iop.org/1347-4065/52/12R/122302
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Silvestre_Sub-bandgap JJAP-52-122302_OK DRAC.pdf | 611,3Kb | Accés restringit |