Exploiting dimensionality and defect mitigation to create tunable microwave dielectrics
Visualitza/Obre
nature12582.pdf (4,512Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/21213
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-10
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The miniaturization and integration of frequency-agile microwave circuits-relevant to electronically tunable filters, antennas, resonators and phase shifters-with microelectronics offers tantalizing device possibilities, yet requires thin films whose dielectric constant at gigahertz frequencies can be tuned by applying a quasi-static electric field. Appropriate systems such as BaxSr1-xTiO3 have a paraelectric-ferroelectric transition just below ambient temperature, providing high tunability. Unfortunately, such films suffer significant losses arising from defects. Recognizing that progress is stymied by dielectric loss, we start with a system with exceptionally low loss-Srn+1TinO3n+1 phases-in which (SrO)2 crystallographic shear planes provide an alternative to the formation of point defects for accommodating non-stoichiometry. Here we report the experimental realization of a highly tunable ground state arising from the emergence of a local ferroelectric instability in biaxially strained Srn+1TinO3n+1 phases with n = 3 at frequencies up to 125 GHz. In contrast to traditional methods of modifying ferroelectrics-doping or strain-in this unique system an increase in the separation between the (SrO)2 planes, which can be achieved by changing n, bolsters the local ferroelectric instability. This new control parameter, n, can be exploited to achieve a figure of merit at room temperature that rivals all known tunable microwave dielectrics.
CitacióLee, C. [et al.]. Exploiting dimensionality and defect mitigation to create tunable microwave dielectrics. "Nature", Octubre 2013, vol. 502, núm. 7472, p. 532-536.
ISSN0028-0836
Versió de l'editorhttp://www.nature.com/nature/journal/v502/n7472/full/nature12582.html
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
nature12582.pdf | 4,512Mb | Accés restringit |