Intrinsic beam shaping mechanism in spatially modulated broad area semiconductor amplifiers
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/20702
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-09-23
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
CitacióRadziunas, M. [et al.]. Intrinsic beam shaping mechanism in spatially modulated broad area semiconductor amplifiers. "Applied physics letters", 23 Setembre 2013, vol. 103, núm. 13, p. 132101-132101-4.
ISSN0003-6951
Versió de l'editorhttp://apl.aip.org/resource/1/applab/v103/i13/p132101_s1
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
AIP(13)RadziunasBotey.pdf | 1,269Mb | Visualitza/Obre |