Effect of annealing atmosphere in the properties of GaAs layers deposited by sputtering techniques on Si substrates
Visualitza/Obre
Silvestre_Effect of annealing_J_Materials in Electronics.pdf (694,2Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/20627
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-10
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
This work reports changes in the structural properties of sputtered GaAs layers deposited on Si (100) substrates induced by thermal annealing under different arsine atmospheres. The effects of the AsH3 partial pressure (P AsH3 ) and of the annealing temperature in the GaAs layer properties were analyzed by means of in situ reflectance spectroscopy, in situ transient reflectance at 2.65 eV, X-ray diffraction and atomic force microscopy. The results obtained reveal a direct correlation between the AsH3 partial pressure and the evolution of the GaAs surface morphology as well as the annihilation of As clusters formed during the sputtering procedure.
CitacióGaliana, B. [et al.]. Effect of annealing atmosphere in the properties of GaAs layers deposited by sputtering techniques on Si substrates. "Journal of materials science. Materials in electronics", Octubre 2013, núm. October 2013, p. 1-5.
ISSN0957-4522
Versió de l'editorhttp://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10854-013-1562-y
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Silvestre_Effec ... terials in Electronics.pdf | 694,2Kb | Accés restringit |