Study of the refractive index change in a-Si:H thin films patterned by 532 nm laser radiation for photovoltaic applications
Visualitza/Obre
Article principal (716,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/20421
Tipus de documentArticle
Data publicació2010-04-14
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Laser scribing of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) is a crucial step in the fabrication of thin film photovoltaic modules. During such process, inherent thermo-mechanical effects associated to laser ablation mechanisms lead to thermal damages. In that sense, the state of the material remaining in the vicinity of the
ablated area has a critical influence on the electrical properties of the final devices. In this work, a comprehensive analysis of refractive index variations for the material surrounding the ablated area by means
of Infrared–Visible Fourier transform spectrometry is proposed. Besides, in order to evaluate the material microstructure, Raman spectroscopy is employed as a complimentary technique. It was seen that the
refractive index variation decreased as the distance from the center of the ablated groove was increased.
Likewise, a clear transition from highly crystalline to amorphous material could be also observed as a function of the distance from the groove.
CitacióColina, M.A. [et al.]. Study of the refractive index change in a-Si:H thin films patterned by 532 nm laser radiation for photovoltaic applications. "Thin solid films", 14 Abril 2010, vol. 518, núm. 18, p. 5331-5339.
ISSN0040-6090
Versió de l'editorhttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609010005389#
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Study of the refractive index change.pdf | Article principal | 716,5Kb | Accés restringit |