A high dynamic-range RF programmable-gain front end for G.hn RF-Coax in 65-nm CMOS
Visualitza/Obre
Text complet (2,043Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/19463
Tipus de documentArticle
Data publicació2012-10
EditorIEEE Microwave Theory and Techniques Society
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
A high-dynamic-range programmable-gain inductorless RF front end suitable for the RF-coax bandplan of the G.hn
recommendation is presented. A double-input RF programmable gain amplifier (DI-RFPGA) with switchable capacitive attenuation
providing four gain settings is used at the input, followed by a current reuse transconductance amplifier (CR-TCA) and a
switching stage for frequency downconversion. Besides the gain
configurability provided by the DI-RFPGA, the front end adds an additional configuration mechanism by allowing the bypass of the CR-TCA, connecting the DI-RFPGA directly to the switching
stage, and thereby providing a total of eight gain settings. The
different sets of specifications result in a signal-to-noise-plus-distortion
ratio larger than 37 dB for an input power range from 78 to 5 dBm with a bandwidth from 300 MHz to 2.5 GHz. The chip is fabricated in a 65-nm CMOS technology and consumes
between 31.8–46.8 mW. The RF front end achieves a voltage gain range of 39.2 dB, with a maximum voltage gain of 25.2 dB,
a minimum noise figure of 5.5 dB, and a maximum third-order intermodulation intercept point of 24.2 dBm. The circuit occupies a total area of 0.119 mm.
CitacióTrulls, X.; Mateo, D.; Bofill, A. A high dynamic-range RF programmable-gain front end for G.hn RF-Coax in 65-nm CMOS. "IEEE transactions on microwave theory and techniques", Octubre 2012, vol. 60, núm. 10, p. 3243-3253.
ISSN0018-9480
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
2012_MateoPeña_ ... EEE Trans_on_microwave.pdf | Text complet | 2,043Mb | Accés restringit |